RJP30E2DPK-M0

RJP30E2DPK-M0
IGBT
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30E2
Производитель – Renesas

Рабочий ток: 35 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.7 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 30 ns
Время закрытия: 80 ns
Рассеиваемая мощность: 50 W
Тип корпуса: TO-3P(TO-247)

Datasheet RJP30E2DPK-M0

If you found an error, highlight it and press Shift + Enter or Замечание to inform us.