AP85GT33SW

AP85GT33SW
IGBT с сверхбыстрым диодом внутри
Структура: N-channel
Маркировка: 85GT33SW
Производитель – Advanced Power

Рабочий ток: 85 A
Пиковый ток: 340 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.43 V
Максимальное напряжение: 330 V
Время открытия: 20 ns
Время закрытия: 87 ns
Рассеиваемая мощность: 150 W
Тип корпуса: TO-3P(TO-247)

Ближайший аналог: IXGQ85N33PCD1

Datasheet IXGQ85N33PCD1

If you found an error, highlight it and press Shift + Enter or Замечание to inform us.