...
Mы благодарны , что Вы с нами!

Магазин электронных компонентов

Ваши покупки

Ваша корзина пуста

В корзине пусто

Магазин электронных компонентов

Ваши покупки

Ваша корзина пуста

В корзине пусто

RJP30H1DPD

100.00 

RJP30H1DPD  IGBT  Структура: N-channel  Маркировка: RJP30H1

42 в наличии

RJP30H1DPD
IGBT
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30H1
Производитель – Renesas

Рабочий ток: 30 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.5 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 80 ns
Время закрытия: 150 ns
Рассеиваемая мощность: 45 W
Тип корпуса: TO-252

Datasheet RJP30H1

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “RJP30H1DPD”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Артикул: tr9 Категория: Метки: , , , ,