RJP30H1DPD
100.00 ₽
RJP30H1DPD
IGBT
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30H1
Производитель – Renesas
22 в наличии
RJP30H1DPD
IGBT
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30H1
Производитель – Renesas
Рабочий ток: 30 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.5 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 80 ns
Время закрытия: 150 ns
Рассеиваемая мощность: 45 W
Тип корпуса: TO-252
If you found an error, highlight it and press Shift + Enter or Замечание to inform us.
Похожие товары
6916L-2867B LED подсветка
1,680.00 ₽
KLM4G1FE3B-B001 eMMC
750.00 ₽
MCP1700T-3302E/TT
30.00 ₽В корзинуMCP1700T-3302E/TT
Регулятор напряжения с низким током покоя и малым падением напряжения
Корпус SOT-23
Маркировка : CS**
K9GAG08U0E NAND FLASH
500.00 ₽
KLM8G1GETF-B041 eMMC
750.00 ₽