Описание
IGBT транзистор RJP30H1DPD
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30H1
Производитель — Renesas
Рабочий ток: 30 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.5 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 80 ns
Время закрытия: 150 ns
Рассеиваемая мощность: 45 W
Тип корпуса: TO-252
