Описание
IGBT транзистор RJP30E2DPK-M0
Структура: N-channel
Маркировка: RJP30E2
Производитель — Renesas
Рабочий ток: 35 A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.7 V
Максимальное напряжение: 360 V
Время открытия: 30 ns
Время закрытия: 80 ns
Рассеиваемая мощность: 50 W
Тип корпуса: TO-3P(TO-247)
