Описание
IGBT транзистор GT30F131
Структура: N-channel
Маркировка: 30F131
Производитель — Toshiba
Рабочий ток: * A
Пиковый ток: 200 A
Напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: 1.9 V
Максимальное напряжение: 360 V
Рассеиваемая мощность: 140 W
Тип корпуса: TO-220SM(TO—220C—G2)
